• 30款碳化硅肖特基的性能与应用场景
• 随着技术的不断迭代与市场需求的变化，我们一直致力于碳化硅功率器件的研发与创新，今天为您介绍我们精心打造的30款碳化硅肖特基系列产品。此系列产品涵盖了多种关键参数配置，满足不同客户对高性能功率器件的需求。其中，反向击穿电压（VR）分别为650V、1200V、1700V三个等级，能够适应从中低压到高压环境下的各种应用场合。正向电流（IF）范围则宽泛地覆盖了6A至60A，这对于不同的负载需求提供了灵活选择。在封装形式上，主要采用了业界标准且广泛应用的TO247-2L和TO220-2L两种封装类型，它们不仅拥有良好的散热性能，还便于在现有系统中进行便捷替换。650V产品及应用说明：1.数据中心电源供...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 碳化硅肖特基 国产 应用 案例 工业 家电 发帖人：华轩阳电子 发帖时间：2024-03-19 11:01:00

• 碳化硅肖特基二极管的优点及应用
• MDD碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍，达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。其优点是：1.碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。2.碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3.碳化硅有高的热导率，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 碳化硅肖特基二极管，二极管，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-08-09 10:50:00

• MDD碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器中的应用优势有哪些？
• MDD碳化硅肖特基二极管应用有哪些？它的优势有哪些呢？对比硅的快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管在BOOST电路中的应用具有很大的优势，由于碳化硅肖特基二极管是肖特基结构，且是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗，在更高的频率环境中工作，且在相同工作频率下具有更高的效率。在光伏逆变器中，碳化硅肖特基二极管主要用于BOOST电路，如图2所示为SingleBoost，是光伏逆变器中使用较为广泛的，图2中的D1在使用碳化硅肖特基二极管时，可以降低对应换流回路中开关管的开关损耗，降低温升，从而减小散热器的体积，可以提高频率，减小...
• 所属专栏： 器件替换 标签： 碳化硅肖特基二极管 二极管 肖特基 MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-05-26 10:26:00

• 中低压MOS管有哪些特点？
• MDD品牌MOS管广泛应用于汽车电子、光伏新能源、电动工具、移动电源、逆变器、工控等行业。中低压mos管需求相对较多，按电压分类可分为中低压mos管和高压mos管，中低压mos管电压在1V~400V左右，高压mos管电压在400V~1000V左右。MDD品牌中低压MOS芯片采用沟槽（Trench）或深沟槽（SGT）工艺。栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。导通电阻较小，RDS(ON）可达1mΩ以下，功耗小。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强。中低压MOS在快充电源中同步整流应用案例：快充电源的初级部分，和一般充电品适配器的初组基本一致，但在输出端增加了同步整流、电池检测和充放电保护等电路，...
• 所属专栏： 器件替换 标签： MOSFET，新能源，MDD 发帖人：MDD二极管桥堆 发帖时间：2023-05-19 10:12:00

• PL3902SOT2330VN通道MOSFET
• 一般说明PL3902采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作，栅极电压低至2.5V。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。产品概览Vos30Vlo(atVas=10V)4ARs(ON)(atVas=10V)<52mQRs(ON)(atVas=4.5V)<65mQRDs(oN(atVas=2.5V)<85mQ规格书：PL3902规格书.pdf预览
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： PL3902 N通道MOSFET 发帖人：百盛电子 发帖时间：2022-09-22 13:16:00

• 为什么要在光通信领域引入硅光？
• 永不满足的网络带宽需求是数据中心新技术研发的驱动力。在视频应用、云服务、游戏和连接设备数量增长的推动下，网络运营商面临着升级和扩展网络容量，同时尽量减少新硬件增加的压力。虽然硬件升级的重点主要集中在路由器、交换机和服务器等网络设备上，但这些设备之间的光互连在资本支出和运营成本方面都变得越来越重要。光纤链路末端的光模块是光互连性能的关键驱动因素。光模块可将电信号转换为光信号，然后再转换回来。光模块插入网络设备并端接贯穿整个网络物理基础设施的光纤线缆。与充当网络大脑并主要依赖硅基晶体管的ASIC和CPU芯片不同，光模块依赖于激光二极管、光电二极管和光波导等光学元件来操纵和调制光以通过光纤链路传输...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 硅光 发帖人：专说光通信 发帖时间：2022-08-12 15:51:00

• B1D031203A1200VBasic碳化硅肖特基二极管应用于新能源电动汽车
• 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。（第三代半导体行业领军企业，率先掌握国际领先的碳化硅肖特基二极管，1200V碳化硅MOSFET，车规级碳化硅模块等）产品广泛应用于：电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域，新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC电源等领域有广...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 1200V Basic 碳化硅 MOSFET 发帖人：TR8808 发帖时间：2021-10-29 17:04:00

• C3D02065E兼容品BasicB1D02065E碳化硅肖特基二极管性能更优速度更快
• 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，具有优越的性能和极高的工作效率。B1D02065E是一款650V2A6.8nC碳化硅肖特基二极管可兼容C3D02065E更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器的需求，减少电磁干扰。产品特性：1.极低反向电流2.无反向恢复电流3.温度无关开关4.VF...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： C3D02065E Basic B1D02065E 650V碳化硅肖特基二极管 发帖人：Hany 发帖时间：2021-10-27 15:48:00

• mosfet管（场效应管）惠海半导体50N0630N06【小体积散热好】
• MOS管型号：HG012N06L参数：60V50A（50N06）内阻：11mR（VGS=10V）结电容：550pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等【惠海MOS管常规型号】17N0630N0650N0670N0350N0330N035N1010N1017N1025N103400【惠海半导体直销】30V60V100Vmos管3A5A10A15A25A30A50A贴片mos管SOT23封装TO-252SOP-8DFN3*3封装mos管
• 所属专栏： 供应商专区 标签： MOSFET MOS管 50N06 30N06 发帖人：用芯出发3 发帖时间：2021-05-24 15:07:00

• 二氧化碳传感器的分类及其原理
•   二氧化碳传感器的分类  在工业、农业等环境无线数据采集、传输、监测中，气体传感器是使用比较多的传感器设备，其中二氧化碳传感器是市场上最常用的。下面介绍二氧化碳传感器的分类。  1、热导池二氧化碳传感器  热导池二氧化碳传感器是一种利用二氧化碳气体的热导率进行出来的设备，当两个和多个气体的热导率差别较大时，可以利用热导元件，分辨其中一个组分的含量，当然，这种设备不仅在测量二氧化碳气体浓度方面，在测量氢气以及某些稀有气体方面也可以使用，不过由于某些特定原因（如技术封锁等），这种设备在国内的煤矿中也不多见。  2、催化剂二氧化碳传感器  催化剂二氧化碳传感器是一种以催化剂作为基本元件的二氧化碳...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 二氧化碳传感器 发帖人：元器件小白 发帖时间：2020-05-09 14:27:00